汉芯专家鉴定团成员

上海交大的生命，汉芯造假事件总算给老百姓一个交待了，不过只是一个半吊子的交待而已。
陈进一个人背了所有的黑锅，妈妈说自己的事情自己做，那么陈进自己做的黑锅也只有自己背，这没什么好说的，只不过他被迫背了所有人的黑锅，领导的黑锅、验收专家的黑锅。
“据调查，陈进负责的汉芯团队所研制的“汉芯一号”，是一款208只管脚封装的数字信号处理器(DSP)芯片，由于其结构简单，不能单独实现指纹识别和MP3播放等复杂演示功能。为了在上海市举办的新闻发布会上能够达到所需的宣传效果，陈进等预先安排在“汉芯一号”演示系统中使用了印有“汉芯”标识、具有144只管脚的芯片，而不是提供鉴定的208只管脚的“汉芯一号”芯片。调查表明，当时汉芯公司并没有研制出任何144只管脚的芯片，存在造假欺骗行为。”
208针脚和144针脚都分不清楚，这到底是哪门子专家？你们到底如何验收的？
来看看这些专家吧，王阳元、许居衍、邹世昌、严晓浪，
而其中严晓浪还是863集成电路设计专家组组长。
专家们可曾想过，你们的一句“验收通过”，你们的一句“达到国际先进水平”，老百姓数亿人民币的血汗钱就付水东流了，如果一次通过，你们还可以说老眼昏花了，老糊涂了，但是从汉芯一号一直到汉芯四号，你们一次又一次的老眼昏花，是真的老眼昏花不辨真伪，还是你们根本就从中分了一杯羹呢？
事件到此，可以说已经划上句号了，不会再有人深究这些的专家的责任了，领导自然也是推的一干二净，数亿人民币的资金能追回来三五十万也就不错了，黑锅有人背了，专家们继续四处验收有吃有喝有玩的，临走还有拿的，领导们继续官运亨通，一路高升，我们一个平头老百姓，也就只有发发牢骚而已，也只有记住这些专家的名字和嘴脸而已。
刚刚查询资料时，偶然发现严大专家的如下新闻：
“一度遭舆论怀疑卷入此事的国家「863计划」集成电路设计专家组组长严晓浪昨日回应本报 查询时说，汉芯1号造假如果属实，应由当事人个人负责任，与863 计划无关。”
在传言尚未证实的情况下，大专家已经早早的撇开了干系，有成果了就是863的功劳，捅漏子了就跟863毫无关系，好一个专家啊，推卸责任方面绝对是专家。
[严晓浪，男，1947年1月出生，浙江杭州人。教授、浙江大学博士生导师。]

严晓浪教授1968年毕业于浙江大学电机系，1978年考入浙江大学电子学专业研究生，1981年获硕士学位。毕业后到杭州电子工业学院任教，1990年—1993年借调至北京集成电路设计中心任常务副主任兼总工程师，1993年—1994年美国斯坦福大学系统集成研究中心访问教授。历任杭电微电子CAD所副所长、所长、杭州电子工业学院院长助理、副院长、院长、浙江省科委主任等职，并曾任全国集成电路CAD专家委员会副主任委员、国际信息处理联合会（IFIP）常务理事兼中国委员会主席。现任杭州电子工业学院微电子CAD所所长、浙江省大规模集成电路设计重点实验室主任、浙江大学电气工程学院院长、浙江大学信息工程学院院长、浙江大学VLSI设计研究所所长、国家863计划集成电路设计专家组组长、浙江省电子学会理事长。
王阳元
王阳元院士现任北京大学教授、博士生导师、中国科学院院士，北京大学微电子学研究院院长，微电子学系主任，中国电子学会副理事长，《半导体学报》和《电子学报》（英文版）副主编，《微电子学科学丛书》主编。国家产业政策专家咨询委员会委员，信息产业部科技委委员(电子)，美国IEEE Fellow和英国IEE Fellow 等。
在1986 - 1993年任全国ICCAD专家委员会主任和ICCAT专家委员会主任期间，领导研制成功了我国第一个大型集成化的ICCAD系统，使我国继美国、日本、欧共体之后进入能自行开发大型ICCAD工具的先进国家行列；在研究集成电路发展规律基础上提出了我国集成电路产业和设计业的发展战略建议。为推动我国微电子产业的发展，作为发起人之一，创建了中芯国际(SMIC-Semiconductor Manufacturing International Corporation)集成电路制造(上海)有限公司。
发表科研论文230多篇，出版著作6部，现有17项重大科技成果。获全国科学大会奖、国家发明奖、国家教委科技进步一等奖、光华科技基金一等奖等共16项国家级和部委级奖励。
许居衍

微电子技术专家。1934年出生于福建。1957年毕业于厦门大学物理系。中国华晶电子集团公司高级顾问、无锡微电子科研中心名誉所长、上海集成电路科技园区首席科学家。长期从事半导体技术与微电子工业的开发工作。60年代初，摸索集成电路制造技术，研制成功我国第一代单片硅平面集成电路，为我国开创集成电路作出贡献。70年代筹建大规模集成电路新工艺，主持研究成功离子注入新工艺和计算机辅助制版系统，为成功研制4096位动态随机存储器等大规模集成电路开辟了新的技术基础。80年代，探索科研与生产结合新模式，促成无锡微电子科研生产联合企业的建立，为南方微电子的发展作出贡献。1995年当选中国工程院院士。
邹世昌

材料科学家。原籍江苏太仓，生于上海。1952年毕业于唐山交通大学冶金工程系。1958年获苏联莫斯科有色金属学院副博士学位。中国科学院上海冶金研究所研究员。60年代负责国防重点任务甲种分离膜加工成形部分工作，对技术路线进行优选决策。70年代以后在离子束与固体相互作用以及离子束材料改性、合成、加工和分析等方面进行了系统的研究工作。独创用二氧化碳激光背面辐照获得了离子注入损伤的增强退火效应。用全离子注入技术研制成中国第一块120门砷化镓门阵列电路，用反应离子束加工成中国第一批闪光全息光栅。研究SOI材料并制成CMOS／SOI电路。发展了离子束增强沉积技术并合成了氮化硅、氮化钛薄膜。1991当选为中国科学院院士（学部委员）。