存储卡还会跌价 34纳米NAND闪存量产
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存储卡还会跌价 34纳米NAND闪存量产
2008-11-26 13:16作者:林靖东出处:迪派网责编:徐德栋 【文字大小:大 中 小】 英特尔
由双方组建的NAND闪存合资公司IM Flash Technologies开发和研制的34纳米生产工艺是目前市场上最先进的生产工艺,只有这种工艺可以生产出适用于标准48针薄型小尺寸封装(TSOP)的单片32GB NAND芯片。
与之前的计划相比,34纳米产品投产的时间略有提前。英特尔和美光希望可以在年底之前将一半的产能转移到34纳米工艺。
美光内存业务副总裁Brian Shirley表示:“我们在NAND工艺技术上取得了长足的进步,现在我们已经站在34纳米生产工艺的领导者的位置上。有了34纳米32GB微型芯片,客户们可以很容易地提高许多消费者和计算产品的NAND存储容量。”
英特尔副总裁兼NAND解决方案集团总经理Randy Wilhelm表示:“34纳米生产工艺的研发进程超出了我们的预期。”
这类芯片采用300mm硅片,尺寸比一块拇指甲还要小一些,预计很快就会应用到数码相机、音乐播放器、数码摄像机和大容量固态存储产品上。
英特尔和美光还打算在2009年初开始研制基于34纳米生产工艺的低密多级单元(MLC)和单级单元(SLC)产品。
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