70纳米工艺量产在即 台DRAM厂优势大增　茂德试产良率高达约80％ 力晶亦将于本季底量产

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70纳米工艺量产在即 台DRAM厂优势大增　茂德试产良率高达约80％ 力晶亦将于本季底量产 （记者吴宗翰／台北） 2007-1-4
DRAM相当重视工艺技术微缩，唯有通过工艺技术的微缩，才能进一步降低成本，为此，台DRAM厂为保有DRAM市场竞争优势，不断加紧工艺微缩脚步，其中，茂德与力晶便相当积极投入70纳米工艺，并已成功试产，近期便可导入量产阶段，据了解，此次70纳米工艺量产距离上次90纳米工艺量产竟不到1年时间，与上波0.11微米工艺量产到90纳米工艺量产耗费近2年时间，已大幅缩短。
DRAM厂要仰赖工艺技术微缩以及大量投片，才有机会进一步降低成本，台DRAM厂目前大量投入12英寸厂，力晶已达旗下共有4座12英寸厂，茂德到2007年为止，也将会有3座12英寸厂用于投产DRAM，另一方面，工艺技术的微缩，也是台DRAM厂目前加紧脚步的方向。
茂德90纳米工艺于2006年第二季度左右才开始导入量产阶段，第一批晶圆良率便已高达80％以上，可快速导入90纳米工艺量产，目前台中晶圆三厂已全数改采90纳米工艺，因此，2006年12月全球DRAM价格虽已不再继续增长，但法人估算茂德单月毛利率却仍旧有高达约50％的毛利率。
这主要归功于茂德90纳米工艺大量投产，及晶圆三厂投片量大增，而茂德目前更加紧70纳米工艺试产脚步，据了解，目前茂德70纳米工艺第一批试产的晶圆片已于上周正式产出，原本担忧由于三星电子（Samsung Electronics）过去在投产80纳米工艺遇到瓶颈，因此原先预期茂德在70纳米工艺恐将遭此困扰，但事实证明，茂德此批70纳米工艺良率相当高，与当初90纳米工艺第一批产出时的良率不相上下，高达80％左右。
至于力晶同样也已全数改采90纳米工艺投产，因此使得力晶目前制造成本已成为全球最低的DRAM厂，董事长黄崇仁便表示，力晶目前成本已低于三星，对于DRAM厂来说，不要担心整体DRAM售价是高是低，最重要的是本身要有竞争力，而竞争力便来自于低制造成本。
力晶70纳米工艺已于2006年第四季度进入试产阶段，目前试产阶段已近告一段落，不久便可开始进入量产阶段，力晶估计将可在第一季度末左右开始投产，届时制造成本将可降低30％以上，对于本身毛利率将有进一步助益。
从力晶、茂德90纳米工艺量产到70纳米正式进入量产，仅花不到1年时间，法人认为这样的好成绩与过去业界0.11微米工艺进入90纳米工艺相较，耗费将近1年的时间已是好上许多。
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