SanDisk、Hynix不计前嫌，合资生产NAND闪存设备

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上网时间:2007年03月26日 打印版 推荐给同仁 发送查询
SanDisk公司和Hynix半导体将合资采用每单元四比特闪存技术来开发并生产闪存和NAND存储系统。在此之前，双方签订了一项有关闪存专利交叉授权协议，结束了长期的争端。
此次合资的资本将由SanDisk和Hynix各出一半，生产则由Hynix来进行。双方在每单元四比特技术上合作的起源，可以追溯到msystems公司和Hynix的合作，而msystems公司后来被SanDisk在去年6月以13.5亿美元收购。
双方都没有透露关于此次合资项目的细节。Hynix高级副总裁O.C. Kwon表示：“签订了专利交叉授权协议，双方可以将精力集中在每单元四比特技术上的合作开发上，而我们的合作是前途无量的。希望双方都能从此获益。”
SanDisk主席兼CEO Eli Harari也表示：“这个交叉授权协议解决了我们和Hynix之间所有的IP争端，使我们双方都可以集中精力，将商机给我们带来的收益最大化。”
Hynix已经和STMicroelectronics在中国无锡合建了一个NAND闪存工厂，预计即将开始生产4G和8G闪存设备。
Hynix还和东芝签订了一份半导体交叉授权和供货协议，解决了双方关于DRAM和NAND技术的长期专利争端。尽管细节目前尚不可知，但有报道称Hynix是通过给东芝支付一笔现金才解决了此问题。
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