神马文学网黄昆
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科学家简介
黄昆 (1919-)
黄昆院士，男，1919年9月出生于北京市，1948年获英国布里斯托大学哲学博士学位，中国科学院半导体研究所名誉所长、研究员。黄昆院士是世界著名的物理学家，在固体物理学科作出了许多开拓性的重大贡献，对推动固体物理学的发展起了重要作用，是我国半导体物理学奠基人。
黄昆在固体物理学的一些领域中，进行了开拓性工作。1947年黄昆提出固体中杂质缺陷导致X射线漫散射的理论，70年代已为国外一些科学家所证实和应用，成为研究固体中杂质缺陷的一项有力的手段，被称为“黄散射”；近年来国外在中子衍射中还证实了这种漫散射。1950年黄昆与A．里斯一起提出了多声子的辐射和无辐射跃迁的量子理论。同年苏联C．и．佩卡尔发表了与黄昆的有关辐射部分相平行的理论，但没有考虑到无辐射跃迁问题。黄昆和佩卡尔的理论是近年来研究固体杂质缺陷光谱和半导体载流子复合的奠基性的工作，被国际上称为“黄-佩卡尔理论”或“黄-里斯理论”。1951年黄昆提出了晶体中声子与电磁波的耦合振荡模式，1963年被喇曼散射实验所证实，被命名为极化激元，后来发现其他物质振动也有类似的与电磁波的耦合模式，也被称为极化激元。现在极化激元已经成为分析固体某些光学性质的基础。黄昆当时提出的方程，被称为“黄方程”。黄昆与M．玻恩合著的Dynamical Theory of Crystal Lattices（《点阵动力学理论》，1954年出版，1957年苏联译成俄文出版）一书是公认的这一学科领域的一部权威著作。
1951年底黄昆回到了刚刚解放不久的新中国，到北京大学物理系任教。为了培养国家急需的科技人才，他毅然中断了自己进行多年，并已取得卓著成就的固体理论研究，投身于普通物理课程的教学工作，与虞福春、褚圣麟等一起，建立了具有中国特色的普通物理教学体系。
1956年由北京大学、复旦大学、南京大学、吉林大学、厦门大学五校联合在北大物理系建立了中国第一个半导体专门化，黄昆任教研室主任，为开创发展中国半导物理学科的教育事业；为培养、造就中国半导体技术骨干队伍，作出了重要贡献，成为中国半导体物理学科的开创者之一。黄昆先后编写了《半导体物理学》（与谢希德合著）、《固体物理学》等教材，在中国高等院校固体物理、半导体物理的教学工作中起了有益的作用。
1978年以来黄昆在固体理论研究方面又取得了新的进展。其中关于无辐射跃迁绝热近似和静态耦合理论等价性的证明，澄清了20多年来国际上在这方面理论发展中存在的一些根本性的问题；黄昆提出的无辐射跃迁中声子的统计规律性，有可能为这一领域的研究开辟新的方向。这些成果正引起国际物理学界的关注。
黄昆作为国际著名物理学家，多次进行国际间的学术交流。黄昆担任了第15、16、17届国际半导体物理学术会议的国际顾问委员会成员，第13届半导体中的缺陷国际会议的国际顾问委员会成员。1979年和1984年应邀分别赴意大利和美国讲学。1985年7月被选为第三世界科学院院士。
黄昆院士还为我国半导体物理事业培养了大批人才，很多人已经成为我国半导体研究领域和产业的学术领导人。
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黄昆 (1919-)黄昆院士，男，1919年9月出生于北京市，1948年获英国布里斯托大学哲学博士学位，中国科学院半导体研究所名誉所长、研究员。黄昆院士是世界著名的物理学家，在固体物理学科作出了许多开拓性的重大贡献，对推动固体物理学的发展起了重要作用，是我国半导体物理学奠基人。
黄昆在固体物理学的一些领域中，进行了开拓性工作。1947年黄昆提出固体中杂质缺陷导致X射线漫散射的理论，70年代已为国外一些科学家所证实和应用，成为研究固体中杂质缺陷的一项有力的手段，被称为“黄散射”；近年来国外在中子衍射中还证实了这种漫散射。1950年黄昆与A．里斯一起提出了多声子的辐射和无辐射跃迁的量子理论。同年苏联C．и．佩卡尔发表了与黄昆的有关辐射部分相平行的理论，但没有考虑到无辐射跃迁问题。黄昆和佩卡尔的理论是近年来研究固体杂质缺陷光谱和半导体载流子复合的奠基性的工作，被国际上称为“黄-佩卡尔理论”或“黄-里斯理论”。1951年黄昆提出了晶体中声子与电磁波的耦合振荡模式，1963年被喇曼散射实验所证实，被命名为极化激元，后来发现其他物质振动也有类似的与电磁波的耦合模式，也被称为极化激元。现在极化激元已经成为分析固体某些光学性质的基础。黄昆当时提出的方程，被称为“黄方程”。黄昆与M．玻恩合著的Dynamical Theory of Crystal Lattices（《点阵动力学理论》，1954年出版，1957年苏联译成俄文出版）一书是公认的这一学科领域的一部权威著作。
1951年底黄昆回到了刚刚解放不久的新中国，到北京大学物理系任教。为了培养国家急需的科技人才，他毅然中断了自己进行多年，并已取得卓著成就的固体理论研究，投身于普通物理课程的教学工作，与虞福春、褚圣麟等一起，建立了具有中国特色的普通物理教学体系。
1956年由北京大学、复旦大学、南京大学、吉林大学、厦门大学五校联合在北大物理系建立了中国第一个半导体专门化，黄昆任教研室主任，为开创发展中国半导物理学科的教育事业；为培养、造就中国半导体技术骨干队伍，作出了重要贡献，成为中国半导体物理学科的开创者之一。黄昆先后编写了《半导体物理学》（与谢希德合著）、《固体物理学》等教材，在中国高等院校固体物理、半导体物理的教学工作中起了有益的作用。
1978年以来黄昆在固体理论研究方面又取得了新的进展。其中关于无辐射跃迁绝热近似和静态耦合理论等价性的证明，澄清了20多年来国际上在这方面理论发展中存在的一些根本性的问题；黄昆提出的无辐射跃迁中声子的统计规律性，有可能为这一领域的研究开辟新的方向。这些成果正引起国际物理学界的关注。
黄昆作为国际著名物理学家，多次进行国际间的学术交流。黄昆担任了第15、16、17届国际半导体物理学术会议的国际顾问委员会成员，第13届半导体中的缺陷国际会议的国际顾问委员会成员。1979年和1984年应邀分别赴意大利和美国讲学。1985年7月被选为第三世界科学院院士。
黄昆院士还为我国半导体物理事业培养了大批人才，很多人已经成为我国半导体研究领域和产业的学术领导人。
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