新型低k半导体材料

来源：百度文库 编辑：神马文学网 时间：2024/04/29 17:20:38


　   三菱电机(Mitsubishi Electric)日前宣布，该公司已经开发出一种绝缘材料，据称与现有材料相比，具有更低的介电常数，且鲁棒性(robustness)有很大提高。三菱电机表示，这种材料的鲁棒性作与当前的绝缘体材料几乎完全相同，和当前的低k材料相比鲁棒性要高大约6倍。
　　The International Technology Roadmap for Semiconductors(IRTS)在2003年路线图中着重强调，来自化学机械的损坏在相当大程度上阻碍了使用低k材料。三菱公司使用了一种以borazine为基础的混合材料，borazine材料提供2.3的介电常数，而鲁棒性与当前用来做绝缘层的硅氧化合物材料类似。
　　borazine混合材料的结构类似于苯(benzene)，但在化学分子结构中用氮(nitrogen)和硼(boron)代替了碳(carbon)。Borazine与水和氧会进行反应，因而不适用于沉积工艺过程。通过替利用碳分子替换围绕在borazine环周围的氢，三菱研究人员表示说他们获得了一种稳定的材料。


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