神马文学网光刻胶;photoresist
来源：百度文库 编辑：神马文学网 时间：2024/04/27 14:34:38
光刻胶;photoresist分子式：
分子量：
CAS号：
性质：又称光致抗蚀剂。由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。它利用感光树脂光照后，树脂的溶解性或亲和性发生明显的变化，在光刻工艺过程中，用做抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，采用适当的有选择性的光刻胶，使表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正、负型两大类。在光刻工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分衩溶解，未曝光部分留下来，该辞涂层材料为正型光刻胶；如果曝光部分保留下来，而未曝光部分被溶解，该涂层材料为负型光刻胶。光刻胶生产技术复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中使用光刻胶更是要求严格，而当集成电路向大规模、超大规模发展时，曝光光源由紫外光向远紫外、电子束、X射线、离子束辐射光源变化，对光刻胶性能要求更高。
分子量：
CAS号：
性质：又称光致抗蚀剂。由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。它利用感光树脂光照后，树脂的溶解性或亲和性发生明显的变化，在光刻工艺过程中，用做抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，采用适当的有选择性的光刻胶，使表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正、负型两大类。在光刻工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分衩溶解，未曝光部分留下来，该辞涂层材料为正型光刻胶；如果曝光部分保留下来，而未曝光部分被溶解，该涂层材料为负型光刻胶。光刻胶生产技术复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中使用光刻胶更是要求严格，而当集成电路向大规模、超大规模发展时，曝光光源由紫外光向远紫外、电子束、X射线、离子束辐射光源变化，对光刻胶性能要求更高。