神马文学网内存的标识大全
来源：百度文库 编辑：神马文学网 时间：2024/05/01 04:29:29
1．LGS：LGS的SDRAM芯片上的标识；
GM72V*****1**T**
GM为LGS产品；
72为SDRAM；
第1，2个*代表容量，16为16Mbit，66为64Mbit；
第3，4个*代表数据位宽，一般为4，8，16等，不补0；
第5个*代表bank，2代表2个，4代表4个；
第6个*代表是第几个版本的内核；
第7个*如果是L就代表低功耗，空白为普通；
“T”为TSOP II封装；“I”为BLP封装；
最后的**代表速度：
7：7ns(143MHz) ，7：7.5ns(133MHz)，8：8ns(125MHz)，7K：10ns(PC100 CL2&3)，7J：10ns(PC100 CL3)，10K：10ns(100MHz)， 12：12ns(83MHz)，15：15ns(66MHz) 2．Hyundai：现代的SDRAM芯片的标识
HY5*************-**
HY为现代产品，
5*表示芯片类型，57为SDRAM，5D为DDR SDRAM；
第2个*代表工作电压，空白为5伏，“V”为3；3伏，“U”为2；5伏；
第3-5个*代表容量和刷新速度：
16：16Mbit，4k Ref，64：64Mbit，8k Ref，65：64Mbit，4k Ref，128：128Mbit，8k Ref，129：128Mbit，4k Ref，256：256Mbit，16k Ref，257：256Mbit，8K Ref
第6，7个*代表数据位宽，40，80，16，32分别代表4位，8位，16位和32位；
第8个*代表bank，1，2，3分别为2，4，8个bank；
第9个*一般为0，代表LVTTL（Low Voltage TTL）接口；
第10个*可为空白或A，B，C，D等，代表内核，越往后越新；
第11个*如为L则为低功耗，空白为普通；
第12，13个*代表封装形式；
最后几位为速度：
7：7ns(143MHz)，8：8ns(133MHz)，10P：10ns(PC100 CL2/3)，10S：10ns(Pc100 CL3)，10：10ns(100MHz)，12：12ns(83MHz)15：15ns(66MHz) 3．Micron： Micron的SDRAM芯片的标识；
MT48****M**A*TG-***
MT为Micron的产品；
48代表SDRAM，其后的**如为LC则为普通SDRAM；
M后的**表示数据的位宽；4，8，16，32分别代表4位，8位，16位和32位；
A*代表write recovery（tWR），如A2表示tWR=2clk
TG为TSOP II 封装，LG为TGFP封装；
最后的**代表速度：
7：7ns(143MHz)，75：7.5ns(133MHz)，8*：8ns(125MHz)，其中*为A-E，字母越往后越好，10：10ns(100MHz CL=3)；
Micron的容量要自己算一下，将M前的**和其后的**相乘，得到的结果为容量； 例如：MT48LC8M8A2TG-8E，64Mbit(8*8)，8位。 如何根据内存芯片标识识别内存(二) ---- 许多朋友都会遇到这样一个问题，在购买内存时不知如何识别内存的品牌、类型、容量、速度等参数。许多人都认为内存不经过主板或专用检测仪检测难于识别，在此我们特为大家提供如下解读内存条的方法。鉴于篇幅限制，这里仅以市场上最常见的现代内存、LG内存以及KingMax内存为例进行说明。 一、现代SDRAM内存芯片的识别 ---- 现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下: HY 5X X XXX XX X X X X XX - XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩ ---- “HY”表明是现代的产品。 ---- ①代表的是内存芯片种类: “51”为EDO，“57”为SDRAM，“5D”为DDR SDRAM。 ---- ②代表工作电压: “U”为2.5V，“V”为3.3V，空白代表5V。 ---- ③代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表1所示。 ---- ④代表芯片输出的数据位宽: 其中“40”、“80”、“16”和“32”分别代表输出数据位宽为4位、8位、16位和32位。 ---- ⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成: 其中“1”、“2”、“3”分别代表2个、4个和8个Bank。 ---- ⑥代表内存接口: 一般为“0”，代表LVTTL接口。 ---- ⑦代表内存版本号: 空白代表第一代，“A”代表第二代、“B”代表第三代、“C”代表第四代、“D”代表第五代。 ---- ⑧代表功耗: 其中“L”代表低功耗的芯片，空白表示为正常功耗芯片。 ---- ⑨代表封装类型: 其编号与封装类型的对应关系如下:
“JC”: 400mil SOJ
“TC”: 400mil TSOP-Ⅱ
“TD”: TSOP-Ⅱ
“TG”: TSOP-Ⅱ, GOLD---- ⑩代表速度: 其编号与速度的对应关系如下: “7”: 7ns(143MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“10p”: 10ns(PC-100 CL2或3)
“10s”: 10ns(PC-100 CL3)
“10”: 10ns(100MHz)
“12”: 12ns(83MHz)
“15”: 15ns(66MHz)二、LG SDRAM内存芯片的识别 ---- LG公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下: GM72V XX XX X X X X X XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ---- “GM”代表LG的产品。 ---- “72”代表SDRAM。 ---- “V”代表工作电压为3.3V。 ---- ①代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表2所示。 ---- ②代表数据位宽: 其中“4”、“8”、“16”分别代表4位、8位、16位等。 ---- ③代表内存芯片内部Bank: 其中“2”表示2个Bank，“4”表示4个Bank。 ---- ④代表内存接口: “1”代表LVTTL。 ---- ⑤代表内核版本。 ---- ⑥代表功耗: 其中“L”代表低功耗，空白则代表常规功耗。 ---- ⑦代表封装类型: “T”表明是TSOP-Ⅱ封装，如果是“I”则代表BLP封装。 ---- ⑧代表速度: 其编号与速度的对应关系如下:
“75”: 7.5ns(133MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“7K”: 10ns(PC-100 CL2或3)
“7J”: 10ns(100MHz)
“10K”: 10ns(100MHz)
“12”: 12ns(83MHz)
“15”: 15ns(66MHz) 三、KingMax SDRAM内存芯片的识别 ---- KingMax公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下: KM X XX S XX X X X X X - X XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩ ---- “KM”表示KingMax的产品。 ---- ①代表内存芯片种类: “4”代表DRAM。 ---- ②代表内存芯片组成个数: “4”代表×4，“8”代表×8，“16”代表×16。 ---- “S”表明是SDRAM。 ---- ③代表一个内存芯片密度: “1”代表1Mbit，“2”代表2Mbit，“4”代表4Mbit，“8”代表8Mbit，“16”代表16Mbit。 ---- ④代表刷新速度: “0”代表4K Ref，“1”代表2K Ref，“2”代表8K Ref。 ---- ⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成: “2”代表2个Bank，3代表4个Bank。 ---- ⑥代表内存接口: “0”代表LVTTL，“1”代表SSTL。 ---- ⑦代表内存版本: 空白代表第1代，“A”代表第2代，“B”代表第3代。 ---- ⑧代表封装类型: “T”代表封装类型为TSOP-Ⅱ。 ---- ⑨代表电源供应方式: “G”代表自动刷新，“F”代表低电压自动刷新。 ---- ⑩代表最少存取周期(最高频率): 其编号与速度的对应关系如下: “7”: 7ns(143MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“10”: 10ns(100MHz)
“H”;100MHz CAS值为2
“L”: 100MHz CAS值为3---- 例如内存标识为“KM416S16230A-G10”指的是KingMax的16Mbit×16 =256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K Ref，内存Bank为3，内存接口为LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100MHz)。 内存编号识别(三) 内存作假主要是以低速内存冒充高速度的，以低容量内存冒充高容量的。要杜绝此类作假，就要学会识别内存规格和内存芯片编号，方法一般是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号，前者是内存的技术规范，后者由于厂家的不同，其编号规则也不同。
从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPDinfo这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。
1、PC66/100 SDRAM内存标注格式
（1）1.0---1.2版本
这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1.2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
（2）1.2b+版本
其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式
威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。
PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。
3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式
其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。
4、RDRAM 内存标注格式
其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。
5、各厂商内存芯片编号
内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。
由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号。 (1）HYUNDAI（现代）
现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为： HY 5a b cde fg h i j k lm-no
其中 HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)； cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4KRef，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）； fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）； h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）； I代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）； j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）； k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）； lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）； no代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。
市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。
（2）LGS［LG Semicon］
LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi
其中GM代表LGS的产品； 72代表SDRAM； ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)； cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)； e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）； f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）； T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）； hi代表速度（7.5=7.5ns［133MHz］，8=8ns［125MHz］，7K=10ns［PC-100 CL2或3］，7J=10ns［100MHz］，10K=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=15ns［66MHz］）。
例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。
LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。
（3）Kingmax(胜创)
Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。
Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFTSANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。
KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。 （4）Geil(金邦、原樵风金条)
金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条Ｐ针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。
金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
其中 GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）； GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）； LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）； 16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 =128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）； 4表示版本； TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）； -7是存取时间（7=7ns（143MHz））； AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3VVdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。
（5）SEC（Samsung Electronics，三星）
三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示： KM表示三星内存； 4代表RAM种类（4=DRAM）； 16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）； C代表电压（C=5V、V=3.3V）； 254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）； D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。
三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示： KM表示三星内存； 4代表RAM种类（4=DRAM）； 16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）； S代表SDRAM； 16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）； 2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）； 3表示内存排数（2=2排、3=4排）； 0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）； A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）； G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）； 10代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H= 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）。 三星的容量需要自己计算一下，方法是用'S'后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。
三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：
Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示： KM表示三星内存； 4代表RAM种类（4=DRAM）； 16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）； H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）； 4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 =256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）； 0代表刷新（0 = 64m/4K[15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 = 128m/16K[7.8μs]）； 3表示内存排数（3=4排、4=8排）； 0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）； T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）； Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz(400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z =7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz(200Mbps)）。 即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 =64m/4K (15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOPⅡ，速度133MHZ。
三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示： KM表示三星内存； 4代表RAM种类（4=DRAM）； 18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）； RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）； 8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）； C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）； 80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。 即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。 （6）Micron（美光）
Micron公司是世界上知名内存生产商之一，其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
其中 MT代表Micron的产品； 48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDRSDRAM、6=Rambus）； ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）； cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef； ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)； Ag代表Write Recovery［Twr］(A2=Twr=2clk)； TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）； j代表功耗（L=低耗，空白=普通）； hj代表速度，分成以下四类：
（A）DRAM
-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns
SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）
-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHzDDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率 @ CL=2.5 -8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz
（B）Rambus（时钟率）
-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns
+的含义
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）
（C）DDR SDRAM
-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz
（7）其它内存芯片编号
NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示： μPD4代表NEC的产品； 5代表SDRAM； 64代表容量64MB； 8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）； 4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）； 1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）； G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns［125MHz CL 3］，10=10ns［PC100 CL3］，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）； JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-Ⅱ；JF=54-pin TSOPⅡ； JH=86-pin TSOP-Ⅱ）。
HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示： HM代表日立的产品； 52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）； 64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）； 5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）； 空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）； TT为TSOⅡ封装； B60代表速度（75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，A60=10ns［PC-100 CL2或3］，B60=10ns［PC-100 CL3］即100MHZ时CL是3）。
SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中 ab为容量， gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz［CL3］，10=100MHz［PC66规格］）。
TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示： TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）； 64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）； 08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）； B表示内核的版本； FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）； 80代表速度（75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3］）。
IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10， 其中 IBM代表IBM的产品； 03代表SDRAM； 16代表容量16MB； 80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）； C代表功耗（P=低功耗，C=普通）； D表示内核的版本； 10代表速度（68=6.8ns［147MHz］，75A=7.5NS［133MHz］，260或222=10ns［PC100 CL2或3］360或322=10ns［PC100 CL3］，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS［100MHz］。
GM72V*****1**T**
GM为LGS产品；
72为SDRAM；
第1，2个*代表容量，16为16Mbit，66为64Mbit；
第3，4个*代表数据位宽，一般为4，8，16等，不补0；
第5个*代表bank，2代表2个，4代表4个；
第6个*代表是第几个版本的内核；
第7个*如果是L就代表低功耗，空白为普通；
“T”为TSOP II封装；“I”为BLP封装；
最后的**代表速度：
7：7ns(143MHz) ，7：7.5ns(133MHz)，8：8ns(125MHz)，7K：10ns(PC100 CL2&3)，7J：10ns(PC100 CL3)，10K：10ns(100MHz)， 12：12ns(83MHz)，15：15ns(66MHz) 2．Hyundai：现代的SDRAM芯片的标识
HY5*************-**
HY为现代产品，
5*表示芯片类型，57为SDRAM，5D为DDR SDRAM；
第2个*代表工作电压，空白为5伏，“V”为3；3伏，“U”为2；5伏；
第3-5个*代表容量和刷新速度：
16：16Mbit，4k Ref，64：64Mbit，8k Ref，65：64Mbit，4k Ref，128：128Mbit，8k Ref，129：128Mbit，4k Ref，256：256Mbit，16k Ref，257：256Mbit，8K Ref
第6，7个*代表数据位宽，40，80，16，32分别代表4位，8位，16位和32位；
第8个*代表bank，1，2，3分别为2，4，8个bank；
第9个*一般为0，代表LVTTL（Low Voltage TTL）接口；
第10个*可为空白或A，B，C，D等，代表内核，越往后越新；
第11个*如为L则为低功耗，空白为普通；
第12，13个*代表封装形式；
最后几位为速度：
7：7ns(143MHz)，8：8ns(133MHz)，10P：10ns(PC100 CL2/3)，10S：10ns(Pc100 CL3)，10：10ns(100MHz)，12：12ns(83MHz)15：15ns(66MHz) 3．Micron： Micron的SDRAM芯片的标识；
MT48****M**A*TG-***
MT为Micron的产品；
48代表SDRAM，其后的**如为LC则为普通SDRAM；
M后的**表示数据的位宽；4，8，16，32分别代表4位，8位，16位和32位；
A*代表write recovery（tWR），如A2表示tWR=2clk
TG为TSOP II 封装，LG为TGFP封装；
最后的**代表速度：
7：7ns(143MHz)，75：7.5ns(133MHz)，8*：8ns(125MHz)，其中*为A-E，字母越往后越好，10：10ns(100MHz CL=3)；
Micron的容量要自己算一下，将M前的**和其后的**相乘，得到的结果为容量； 例如：MT48LC8M8A2TG-8E，64Mbit(8*8)，8位。 如何根据内存芯片标识识别内存(二) ---- 许多朋友都会遇到这样一个问题，在购买内存时不知如何识别内存的品牌、类型、容量、速度等参数。许多人都认为内存不经过主板或专用检测仪检测难于识别，在此我们特为大家提供如下解读内存条的方法。鉴于篇幅限制，这里仅以市场上最常见的现代内存、LG内存以及KingMax内存为例进行说明。 一、现代SDRAM内存芯片的识别 ---- 现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下: HY 5X X XXX XX X X X X XX - XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩ ---- “HY”表明是现代的产品。 ---- ①代表的是内存芯片种类: “51”为EDO，“57”为SDRAM，“5D”为DDR SDRAM。 ---- ②代表工作电压: “U”为2.5V，“V”为3.3V，空白代表5V。 ---- ③代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表1所示。 ---- ④代表芯片输出的数据位宽: 其中“40”、“80”、“16”和“32”分别代表输出数据位宽为4位、8位、16位和32位。 ---- ⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成: 其中“1”、“2”、“3”分别代表2个、4个和8个Bank。 ---- ⑥代表内存接口: 一般为“0”，代表LVTTL接口。 ---- ⑦代表内存版本号: 空白代表第一代，“A”代表第二代、“B”代表第三代、“C”代表第四代、“D”代表第五代。 ---- ⑧代表功耗: 其中“L”代表低功耗的芯片，空白表示为正常功耗芯片。 ---- ⑨代表封装类型: 其编号与封装类型的对应关系如下:
“JC”: 400mil SOJ
“TC”: 400mil TSOP-Ⅱ
“TD”: TSOP-Ⅱ
“TG”: TSOP-Ⅱ, GOLD---- ⑩代表速度: 其编号与速度的对应关系如下: “7”: 7ns(143MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“10p”: 10ns(PC-100 CL2或3)
“10s”: 10ns(PC-100 CL3)
“10”: 10ns(100MHz)
“12”: 12ns(83MHz)
“15”: 15ns(66MHz)二、LG SDRAM内存芯片的识别 ---- LG公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下: GM72V XX XX X X X X X XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ---- “GM”代表LG的产品。 ---- “72”代表SDRAM。 ---- “V”代表工作电压为3.3V。 ---- ①代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表2所示。 ---- ②代表数据位宽: 其中“4”、“8”、“16”分别代表4位、8位、16位等。 ---- ③代表内存芯片内部Bank: 其中“2”表示2个Bank，“4”表示4个Bank。 ---- ④代表内存接口: “1”代表LVTTL。 ---- ⑤代表内核版本。 ---- ⑥代表功耗: 其中“L”代表低功耗，空白则代表常规功耗。 ---- ⑦代表封装类型: “T”表明是TSOP-Ⅱ封装，如果是“I”则代表BLP封装。 ---- ⑧代表速度: 其编号与速度的对应关系如下:
“75”: 7.5ns(133MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“7K”: 10ns(PC-100 CL2或3)
“7J”: 10ns(100MHz)
“10K”: 10ns(100MHz)
“12”: 12ns(83MHz)
“15”: 15ns(66MHz) 三、KingMax SDRAM内存芯片的识别 ---- KingMax公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下: KM X XX S XX X X X X X - X XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩ ---- “KM”表示KingMax的产品。 ---- ①代表内存芯片种类: “4”代表DRAM。 ---- ②代表内存芯片组成个数: “4”代表×4，“8”代表×8，“16”代表×16。 ---- “S”表明是SDRAM。 ---- ③代表一个内存芯片密度: “1”代表1Mbit，“2”代表2Mbit，“4”代表4Mbit，“8”代表8Mbit，“16”代表16Mbit。 ---- ④代表刷新速度: “0”代表4K Ref，“1”代表2K Ref，“2”代表8K Ref。 ---- ⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成: “2”代表2个Bank，3代表4个Bank。 ---- ⑥代表内存接口: “0”代表LVTTL，“1”代表SSTL。 ---- ⑦代表内存版本: 空白代表第1代，“A”代表第2代，“B”代表第3代。 ---- ⑧代表封装类型: “T”代表封装类型为TSOP-Ⅱ。 ---- ⑨代表电源供应方式: “G”代表自动刷新，“F”代表低电压自动刷新。 ---- ⑩代表最少存取周期(最高频率): 其编号与速度的对应关系如下: “7”: 7ns(143MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“10”: 10ns(100MHz)
“H”;100MHz CAS值为2
“L”: 100MHz CAS值为3---- 例如内存标识为“KM416S16230A-G10”指的是KingMax的16Mbit×16 =256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K Ref，内存Bank为3，内存接口为LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100MHz)。 内存编号识别(三) 内存作假主要是以低速内存冒充高速度的，以低容量内存冒充高容量的。要杜绝此类作假，就要学会识别内存规格和内存芯片编号，方法一般是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号，前者是内存的技术规范，后者由于厂家的不同，其编号规则也不同。
从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPDinfo这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。
1、PC66/100 SDRAM内存标注格式
（1）1.0---1.2版本
这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1.2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
（2）1.2b+版本
其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式
威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。
PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。
3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式
其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。
4、RDRAM 内存标注格式
其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。
5、各厂商内存芯片编号
内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。
由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号。 (1）HYUNDAI（现代）
现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为： HY 5a b cde fg h i j k lm-no
其中 HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)； cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4KRef，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）； fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）； h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）； I代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）； j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）； k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）； lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）； no代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。
市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。
（2）LGS［LG Semicon］
LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi
其中GM代表LGS的产品； 72代表SDRAM； ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)； cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)； e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）； f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）； T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）； hi代表速度（7.5=7.5ns［133MHz］，8=8ns［125MHz］，7K=10ns［PC-100 CL2或3］，7J=10ns［100MHz］，10K=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=15ns［66MHz］）。
例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。
LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。
（3）Kingmax(胜创)
Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。
Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFTSANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。
KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。 （4）Geil(金邦、原樵风金条)
金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条Ｐ针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。
金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
其中 GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）； GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）； LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）； 16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 =128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）； 4表示版本； TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）； -7是存取时间（7=7ns（143MHz））； AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3VVdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。
（5）SEC（Samsung Electronics，三星）
三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示： KM表示三星内存； 4代表RAM种类（4=DRAM）； 16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）； C代表电压（C=5V、V=3.3V）； 254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）； D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。
三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示： KM表示三星内存； 4代表RAM种类（4=DRAM）； 16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）； S代表SDRAM； 16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）； 2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）； 3表示内存排数（2=2排、3=4排）； 0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）； A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）； G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）； 10代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H= 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）。 三星的容量需要自己计算一下，方法是用'S'后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。
三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：
Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示： KM表示三星内存； 4代表RAM种类（4=DRAM）； 16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）； H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）； 4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 =256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）； 0代表刷新（0 = 64m/4K[15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 = 128m/16K[7.8μs]）； 3表示内存排数（3=4排、4=8排）； 0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）； T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）； Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz(400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z =7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz(200Mbps)）。 即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 =64m/4K (15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOPⅡ，速度133MHZ。
三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示： KM表示三星内存； 4代表RAM种类（4=DRAM）； 18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）； RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）； 8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）； C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）； 80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。 即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。 （6）Micron（美光）
Micron公司是世界上知名内存生产商之一，其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
其中 MT代表Micron的产品； 48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDRSDRAM、6=Rambus）； ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）； cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef； ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)； Ag代表Write Recovery［Twr］(A2=Twr=2clk)； TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）； j代表功耗（L=低耗，空白=普通）； hj代表速度，分成以下四类：
（A）DRAM
-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns
SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）
-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHzDDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率 @ CL=2.5 -8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz
（B）Rambus（时钟率）
-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns
+的含义
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）
（C）DDR SDRAM
-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz
（7）其它内存芯片编号
NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示： μPD4代表NEC的产品； 5代表SDRAM； 64代表容量64MB； 8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）； 4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）； 1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）； G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns［125MHz CL 3］，10=10ns［PC100 CL3］，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）； JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-Ⅱ；JF=54-pin TSOPⅡ； JH=86-pin TSOP-Ⅱ）。
HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示： HM代表日立的产品； 52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）； 64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）； 5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）； 空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）； TT为TSOⅡ封装； B60代表速度（75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，A60=10ns［PC-100 CL2或3］，B60=10ns［PC-100 CL3］即100MHZ时CL是3）。
SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中 ab为容量， gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz［CL3］，10=100MHz［PC66规格］）。
TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示： TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）； 64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）； 08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）； B表示内核的版本； FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）； 80代表速度（75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3］）。
IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10， 其中 IBM代表IBM的产品； 03代表SDRAM； 16代表容量16MB； 80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）； C代表功耗（P=低功耗，C=普通）； D表示内核的版本； 10代表速度（68=6.8ns［147MHz］，75A=7.5NS［133MHz］，260或222=10ns［PC100 CL2或3］360或322=10ns［PC100 CL3］，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS［100MHz］。