新闪存技术将“颠覆”手机存储,PCM欲强势扩大取代NOR时代

来源:百度文库 编辑:神马文学网 时间:2024/04/30 18:14:18
新闪存技术将“颠覆”手机存储,PCM欲强势扩大取代NOR时代
上网时间 : 2006年05月30日
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NOR闪存正面临多种新兴闪存技术的挑战,除NAND闪存外,相变内存(Phase-Change Memory,PCM)也正苦苦追赶。工研院IEK分析师陈俊儒日前表示,“最快在2011年,PCM的价格就会赶上NOR闪存,届时DDR迅速取代DRAM的历史可能会在这两种闪存上重演,而主要应用领域将集中在通讯市场,例如手机。”
陈俊儒引述国际半导体技术蓝图(ITRS)的2006年预估数据指出,就单元尺寸来看,PCM将在2011年追上NOR闪存,届时将有机会出现大量取代的局面。但他也指出,就单元尺寸微缩进度来看,PCM仍无法取代NAND闪存市场,除非NAND的微缩技术面临极限。
不过,这仍为PCM擘画了良好前景。“从单元尺寸的微缩情况看,2005年PCM、NOR与NAND的单元尺寸分别为0.1400um2、0.06402与0.02312;但预计在2020年,它们的单元尺寸将分别微缩到0.00112、0.00262与0.00072。”陈俊儒指出。
单元尺寸与芯片制造成本是影响闪存每位成本的两大关键要素,PCM大幅减小单元尺寸后,将更具备取代NOR闪存的优势。据市场调研公司Gartner今年第一季发布资料,2005年NOR闪存营收约72亿美元,其中71.1%集中在通信应用。而随着便携式通信市场的发展,对此类闪存的需求将持续扩大。
另外,IC Insights也预估,到2010年,手机对内置闪存的需求量将从2005年的256Mb跃升到1Gb以上,而因应影音数据的应用,对数据写入/读取速率的需求也将从现有的64~144Kbps提升到高于10Mbps。这意味着手机对闪存的容量及效能需求越来越严格。在可预见的未来,闪存的微缩瓶颈已经浮现,这为新兴闪存技术挑战市场提供了新的机会。
陈俊儒表示,“目前开发PCM的厂商中,以Ovnyx最具技术领导地位,在美国所获取的专利数也最多。”但三星(Samsung)也不容忽视,去年该公司发布了256Mb的PCM。“若以三星现 已占据全球最大DRAM、SRAM与NAND闪存供货商排名情况来看,若该公司挑战PCM市场成功,则将囊括所有主流闪存市场。”
而面对大厂以核心技术及专利布局PCM市场态势,陈俊儒指出,台湾厂商开发Stand-alone PCM将遭遇极大挑战,因此,他建议应更着重在嵌入式PCM领域,以设计简单、非挥发性及 大容量的嵌入式PCM切入通信市场;另外,台湾厂商也应着重于申请新组件架构专利,并以寻求和技术领先厂商相互技术授权的策略布局市场,以避免专利冲突风险,并降低进入PCM市场的困难度。
作者:邓荣惠/电子工程专辑