手机闪存市场 群雄逐鹿

Companies compete in flash of mobile phone marketing
作者：黄莺
随着多媒体手机、PDA、数码相机对大容量闪存的需求越来越多，各个闪存提供厂商纷纷利用各自的优势，调整产品与市场策略，以应对庞大的不断变化的市场需求。
Spansion公司全球副总裁兼亚太区总经理Gary Wang介绍：“2005年，90%的手机仍然是利用NOR架构来存储代码和数据。”Micron公司NAND产品部市场经理Bill Lu及三星、ＳＴ公司的相关人员一致认为：“目前手机市场上还多是以512M容量为主，但是很多手机厂商都已经在考虑采用1G的闪存”。
Spansion公司预测：2006年第２季度，每部手机的平均存储容量为415Mb，到了2006年第4季度，为560Mb；而具有500万像素，支持视频以及ＭＰ３的高端手机，在2006年第2季度，需要1G代码存储与2G的数据存储，到了2006年第４季度，则需要1G的代码存储或者4G的数据存储。
在存储器领域，普遍来讲，在速度方面，最快的是DRAM，其次是PSRAM，再次是NOR，最后是NAND。而手机闪存的解决方案有两种：一种是XIP方式，即NOR+PSRAM；另一种是Shadow方式，即NAND+DRAM方式，在开机时，把代码直接放到DRAM上，这样就提高了开机速度，解决了NAND闪存速度慢的问题，同时，现有的CPU多带有NAND接口，这些都无疑为NAND闪存进入大容量手机市场解决了后顾之忧。
庞大的市场需求促使各个公司加强了对闪存技术的研发，无论是三星、还是Spansion、Micron、ST、Intel等公司。
Spansion公司以MirroBit技术来统一实现NOR与NAND产品，继续强化其ORNAND产品来实现数据存储。采用MirroBit技术实现的NOR产品容量可达512Mb，ORNAND产品容量可达1Gb。目前，公司在存储领域的产品涵盖NOR，ORNAND，SDRAM，DDRAM，PSRAM。广泛的闪存产品线以及专注的市场策略，使得公司在产品策略上与其它公司保持了良好的合作关系。公司认为：Spansion公司只提供手机的存储芯片解决方案，与手机其他的元器件厂商没有利益冲突，与基带、处理器、以及手机终端、数码相机、笔记本电脑产品的生产厂商是利益合作关系，可以更好的带动其闪存产品的销售。
此外，Spansion公司针对高端多功能手机，计划在2006年第2季度开始，提供1G ORNAND＋256MbNOR＋256MbPSRAM解决方案，针对智能手机，公司计划提供1G ORNAND＋256 Mb PSRAM/512Mb SDRAM解决方案，而针对高端多功能和智能手机，公司计划推出1G ORNAND＋512Mb NOR＋256Mb SDRAM或者512Mb SDRAM。
而Micron公司过去几年主要致力于NOR闪存市场，但随着市场的发展，逐步转向了NAND产品线。公司已经通过90nm工艺可以生产1G、2G、4G、甚至是8G的NAND闪存。目前公司在闪存领域的产品除了NAND、还有DRAM、PSRAM。
ST公司也在加强NAND产品线，据闪存部门Mark Long介绍：目前公司NAND产品全部采用90nm工艺，量产的产品包括1G和2G的产品。此外，据相关人员介绍，公司正在逐步放弃在手机中采用小容量闪存，将小容量闪存转向需要加密的工业应用。公司的闪存产品包括NOR，NAND以及PSRAM。
无论是Micron还是ST等其他公司，都尽量将产品与三星的NAND闪存接口兼容。
在不断加强单片闪存容量的同时，各个公司都强调了MCP解决方案，但是目前，除了三星可以实现10层MCP的叠加之外，其他厂商都可以实现4层MCP的叠加。
而大容量闪存的市场正在不断靠近。据Bill介绍：“目前在国际市场上，比如韩国，美国，都正在考虑将8G、甚至是16G的闪存用于手机中，以面向未来的音乐手机，以及手机电视市场。”因此，扩充大容量NAND闪存成为各个公司的发展战略。
三星作为目前市场上NAND闪存的领头公司，据公司相关人员介绍：目前的NAND闪存产品包括采用90nm工艺生产的2G NAND，70nm工艺生产的4G NAND，60nm工艺生产的8G NAND，以及下半年即将量产的采用50nm工艺的16G NAND。
Spansion公司希望2007年第１季度推出65nm 2G MirrorBit ORNAND样片。ST公司并正在采用70nm工艺生产4G，8G NAND样品。Micron公司则计划会采用72nm来生产16G NAND闪存，55nm工艺来生产32G NAND闪存，并希望能在闪存市场上取得第3的成绩。