DRAM三雄明年跨入70奈米製程競賽

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降低生產成本、提高產出帶來豐厚獲利 當務之急為尋找資金來源(記者吳宗翰/台北) 2006/04/17    台系DRAM三雄茂德(5387)、力晶(5346)、南亞科(2408),自2006年起快速將旗下晶圓廠製程技術,由原先的0.11微米~0.10微米製程技術,快速提升至90奈米製程技術,不過對於DRAM這項以市場佔有率及製造成本為導向的產業,如不加緊腳步將製程技術導入下世代製程技術,未來恐被競爭對手淘汰出局,為此DRAM三雄已確定2007年將製程技術決戰點提升至70奈米製程,為此,DRAM三雄當務之急便是尋找資金來源,以便有充足彈藥與對手一較高低。
茂德位於台中晶圓三廠技術移轉來自韓國DRAM大廠海力士(Hynix),導入製程技術則以90奈米製程技術為主,目前月產出量已達到9,000片12吋晶圓,而投片量到了4月為止,更已達到2萬片左右,第一階段4萬片產能目標預計於2006年第二季便可提前達陣。而茂德的晶圓三廠到2006年第四季,製程技術將開始導入70奈米製程,預期到2007年第四季左右便可讓晶圓三廠全數改採70奈米製程,至於2006年6月將開始動土的晶圓四廠,目前也規劃滿載月產能為4萬片,初估會以60奈米製程技術量產。
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力晶到2006年第二季將可開始大量採用90奈米製程技術,投產DRAM及NAND型快閃記憶體(Flash),董事長黃崇仁指出,原本日本爾必達(Elpida)預計製程技術由原本的90奈米先行升級到80奈米製程技術後,再進一步提高至70奈米製程,不過目前爾必達90奈米製程技術良率相當不錯,因此可不需經過80奈米直接跳升至70奈米製程。預計2007年將與爾必達在力晶中科廠合作導入70奈米製程,並將用於生產標準型DRAM等產品。黃崇仁日前便指出,中科12吋廠在2007年夏天完工後,便會採用70奈米製程技術投產,也不排除將採70奈米製程技術投產NAND型Flash產品。
南亞科3月中旬在泰山舉辦12吋晶圓三廠動土典禮,總經理連日昌便表示,該座晶圓廠將在2007年中裝機試產,第一階段月產目標估計為2.4萬片,並採用70奈米製程投產標準型DRAM,不過熟悉南亞科人士表示,目前進度有機會大幅超前,而投產商品預計第一階段為1GB的DDRII,甚至不排除有可能切入量產DDRIII。
市場分析師表示,DRAM三雄不約而同地於2007年將採用70奈米製程技術投產,最主要目的便是希望在DRAM價格變動快速下,只要能夠將成本控制得宜,DRAM廠大量產出也將會帶來相當豐厚獲利。